位于日本东京的半导体制造商NEC公司开发出了一种基于氮化物的单片功率晶体管样品,这种晶体管创记录地把30GHz信号放大至2.3W的功率水平。而单片氮化物器件以前能够达到的功率水平只有0.72W。亚毫米频段——微波与毫米波长之间频率的通称——被狭义定义为25GHz以上至30GHz,但也被广义定义为20GHz至40GHz。无线设备和网络对更高的容量及速度的需求——诸如多电平调制等推进技术——使得人们希望采用20～40GHz的频段。目前市售的工作偏
位于日本东京的半导体制造商
NEC公司开发出了一种基于氮化物的单片
功率晶体管样品,这种晶体管创记录地把30GHz信号放大至2.3W的功率水平。而单片氮化物器件以前能够达到的功率水平只有0.72W。
亚毫米频段——微波与毫米波长之间频率的通称——被狭义定义为25GHz以上至30GHz,但也被广义定义为20GHz 至
40GHz。无线设备和网络对更高的容量及速度的需求——诸如多电平调制等推进技术——使得人们希望采用20～40GHz的频段。
目前市售的工作偏压在5～8V之间的GaAs晶体管无法提供所需的较大输出功率余量——10～
15dB——以改善发送器的功率放大器的线性。若采用多个晶体管并联的方法,则需要使用无源元件分别在输入侧和输出侧进行分割和组合。结果,芯片和封装尺寸变大、带宽变窄、功耗增加。
NEC公司的新型晶体管无需进行并联,因而不必增加额外的元件。只需一个元件即可覆盖分配给用户进行无线网络接入的三个高频频段——
22GHz、26GHz和38GHz。
该器件采用了利用
电子束蚀刻工艺,以及GaN和AlGaN的异质结制作的 0.25μm栅电极。由于两种材料之间存在键合长度（Bond Length）和晶格常数方面的差异,因此异质结界面会产生一个很大的电荷。最终形成的电子气——其密度为GaAs异质结的三倍——有助于获得更高的
电流和输出功率。
该晶体管实现的其他目标包括一个
120GHz 的功率增益截止频率和一个约1A/
m2的栅极漏电流密度。该器件所采用的
SiC衬底有助于改善导热性,使得并联器件能够在相同的沟道温度条件下工作。
