位于日本东京的NEC公司开发出了一种能够在不牺牲布线性能的情况下提高下一代LSI电路中铜布线的可靠性的纳米工艺。该工艺包括两个部分：即在通孔连接界面上插入一层超薄的钛（Ti）薄膜,以及采用氟化碳氮化物（FCN）薄膜来解决长期困扰半导体制造商的一个难题,就是在0.1μm以下的多层布线中出现的可靠性下降。当把钛薄膜加到位于铜布线之间的芯片顶层和底层时,它起胶合剂的作用,可将由应力造成的位移,以及通常与密封装置中的通孔破裂
位于日本东京的
NEC公司开发出了一种能够在不牺牲布线性能的情况下提高下一代
LSI电路中铜布线的可靠性的纳米工艺。该工艺包括两个部分：即在通孔连接界面上插入一层超薄的钛（
Ti）薄膜,以及采用氟化碳氮化物（
FCN）薄膜来解决长期困扰半导体制造商的一个难题,就是在0.1μm以下的多层布线中出现的可靠性下降。
当把钛薄膜加到位于铜布线之间的芯片顶层和底层时,它起胶合剂的作用,可将由应力造成的位移,以及通常与密封装置中的通孔破裂相关联的电迁移减小93%。该工艺通过减小应力和抑制铜迁移的方法在铜通孔处实现了更强的键合。
Ti的表面
电阻比传统的Ta/TaN高8%,它具有一个低可溶性极限值,使得通路电阻下降了25%。该工艺未导致铜电阻性能的劣化,并具有有助于保持电路稳定性的低扩散率。
