IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步
此次年会上一篇有关电子皮肤的论文有些不同凡响,这种电子皮肤能够让机器人的手臂产生触觉。日本东京大学的研究人员通过在一张柔性塑料片上制作一个大面积压力传感器矩阵的方法（即把高质量的有机晶体管和橡胶压力传感器集成在一起）完成了这一令人瞩目的创举。
让许多参会公司和研究人员感到兴奋的另一个主题是应变硅,这是一种适合于采用CMOS工艺来制作更加可靠晶体管的材料。来自Taiwan Semiconductor公司（位于中国TW新竹）的一个研究小组介绍了采用在一个专门为使其晶格能够正好适合硅应变的SiGe缓冲层上生长硅的方法来制造栅极宽度为60nm的晶体管的工艺。
来自Taiwan Semiconductor公司的另一个研究小组还论述了采用应变工艺来改进包含多个先进元件的65nm绝缘体上硅（SOI）工艺的方法。IBM公司（位于美国纽约Hopewell Junction）撰写的一篇论文探讨了采用极富创新精神的尺寸压缩和应变工艺来制作选通脉冲宽度为45nm的高性能逻辑器件的相关工艺。
在存储器领域,来自Infineon公司（位于德国Erlangen）的一个研究小组采用夹在一个简单交叉点阵列的两组电极之间的有机层制成了一种存储器芯片。当电流加到电极上时,有机层的状态将发生改变。
东京技术研究院（位于日本东京）的一位研究人员就把铁电材料用作CMOS晶体管的栅极电介质的可能性做了专题报告。这种器件在具有暂存器的闭锁电路中是有用武之地的。
康奈尔大学（位于美国纽约州Ithaca）的另一位研究人员论述了近来在开发基于少数电子的运动的存储器方面所取得的进展,对相关的基础物理学以及技术上的权衡折衷进行了研究。
三星半导体公司（位于韩国Kyoungki-do）对迄今为止最小的40GB NAND型快闪存储单元的制作工艺做介绍,该工艺采用了70nm设计规则。
此次会议的其他重点论文对目前人们颇感兴趣的、采用廉价有机材料来制作晶体管和电路加以探讨。加利福尼亚大学（位于美国加利福尼亚州伯克利）的研究人员说明了直接采用纤维来制作并五苯晶体管的方法。这种晶体管的制作并非采用传统石版印刷术,而是通过过编织纤维（overwoven fibers）的掩膜来形成图案（见图6）。据称该工艺与纺织品的制造工艺是兼容的。
在其他的开发项目中,来自Infineon Technologies的一个研究小组介绍一种具有超薄自合成分子单层栅极电介质和并五苯通道的薄膜晶体管。最终制成的器件将采用2V的工作电压。来自汉城国立大学（位于韩国汉城）的另一个研究小组介绍他们是如何在可接受的150℃加工温度下采用激发态激光退火和特殊介电常数耦合等离子体气相沉积工艺来在塑料上制作硅
