意法半导体推出新的STR910F系列产品
世界领先的半导体制造商意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）率先在通用闪存微控制器系列产品内集成以太网接口、ARM9E处理器核心和大容量嵌入式SRAM和闪存。新的STR910F系列为基于ARM的闪存微控制器确立了新的性价比和网络接入标准,为系统设计人员将功能强大的嵌入式控制应用转化成低成本的局域网（LAN）或互联网节点带来了许多新的机遇。
STR910F系列的设计目的是满足市场对高性能嵌入式控制应用的日益增长的需求和实现以太网接入功能。这些芯片是ST对取得成功的STR7XX系列ARM7TDMI微控制器的自然扩展。收款机终端及外设、售货机、工控机及工厂自动化、串行协议网关、楼宇自动化、安全监控和手持仪表等应用日益需要更高的性能和联网功能。此外,这些应用设备还需要容量更大的程序/数据闪存,特别是SRAM存储器。
STR910F产品采用了比ARM7TDMI更先进的ARM966E-STM核心。RM966E-STMCPU分别使用两条内部总线来存取指令存储器和数据存储器,从而能够同步进行代码和数据的存取操作。每个内存都通过一个高度优化的紧耦合接口（TCM）连接CPU,存取速度非常快。STR910F充分利用这种架构的优势,在指令TCM接口上连接一个高速脉冲串式闪存,在数据TCM接口连接一个零延时SRAM存储器。这样设计的结果是,在96 MHz（通用闪存ARM式微控制器的最高性能）下,最高代码执行速度高达96 MIPS,数据在CPU核心和SRAM之间的传递效率非常高。相比之下,ARM7TDMI CPU核心用一条总线存取指令内存和数据内存,因此同时存取这两个存储器是不可能的。此外,ARM966E-STM 核心支持单循环数字信号处理（DSP）指令,使STR910F能够同时满足控制和信号处理两种要求,其优势明显高于DSP和控制处理器分立的传统解决方案。ARM966E-STM的所有优势使STR910F系列产品处于内置闪存的32位微控制器的高端市场。.
ARM9E传统上被用于设计无ROM的微处理器,这类处理器的存储器管理单元(MMU)非常复杂,需要内部高速缓存和外部同步RAM与之配合,所有代码需要在启动阶段从一个外接闪存载入内存。然而,STR910F无需传统的高速缓存和外部存储器就可引入ARM9E核心的很多优势,实现一个尺寸紧凑的单片闪存微控制器。STR910F利用一个高速缓存代替MMU,其支持的单存储器模型非常适合实时操作系统（RTSO）。它采用一个含有预取队列和分支缓存系统的创新的存储器加速器,以便在从脉冲串闪存开始的非顺序代码执行的期间提高系统性能,同时实时控制特性优于传统的高速缓存。
STR910F被嵌入大容量的存储器,以支持RTOS和TCP/IP协议栈,以及复杂的控制应用。 的SRAM容量高达96KB,是目前内置闪存的ARM通用微控制器市场上容量最大的SRAM,这个容量非常适合速度更快的串行通信的大数据包缓存应用。与众不同的是,新IC通过一个电池
