VishaySiliconix最新推出低导通电阻
日前,VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布,推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET--- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装,占位面积为1.6mm x 1.6mm,具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品,使用了自对准工艺技术,在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺,将业内最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了一半。
SiB455EDK具有超低的导通电阻,在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的导通电阻分别为27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ,比前一代领先的12V P沟道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的导通电阻分别低55%、52%和39%。
该MOSFET可用做手机、智能手机、PDA和MP3播放器等手持设备中的负载、功放和电池开关。SiB455EDK的低导通电阻意味着更低的导通损耗,小尺寸的PowerPAK SC-75封装能够将节省下来的空间用于实现其他功能,或是让终端产品变得更加小巧。
新器件也是仅有的同时具有10V栅源电压和可在1.5V电压下导通的12V MOSFET,因此该器件可用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压引起栅极驱动电压波动的应用中,同时也为更小的输入电压提供更安全的设计。
为减少由ESD引起的现场故障,器件的典型ESD保护电压高达1500V。MOSFET符合IEC61249-2-21的无卤素规定和RoHS指令2002/95/EC。
新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,将在2010年第一季度实现量产,大宗订货的供货周期为14周到16周。
