0.25微米嵌入式非易挥发性闪存技术(简称“EF250产品技术”)平台是在华虹NEC0.25微米CMOS标准工艺技术基础上，嵌入了领先的非易挥发性闪存技术的特殊工艺制造平台。该平台能支持2.7V～5.5V宽电压工作范围，扩大了IC产品的使用范围，在不增加产品制造成本的前提下，具有领先的抗静电干扰能力，HBM（人体模式）达到8kV以上，电子**式达到6kV以上。嵌入式闪存技术在集成电路产品进入SoC的年代，为片上软件提供了大容量可重复编程的程序
0.25微米嵌入式非易挥发性闪存技术(简称“EF250产品技术”)平台是在华虹
NEC0.25微米C
MOS标准工艺技术基础上，嵌入了领先的非易挥发性闪存技术的特殊工艺制造平台。
该平台能支持2.7V～5.5V宽电压工作范围，扩大了
IC产品的使用范围，在不增加产品制造成本的前提下，具有领先的抗静电干扰能力，HBM（人体模式）达到8kV以上，
电子**式达到6kV以上。嵌入式闪存技术在集成电路产品进入
SoC的年代，为片上软件提供了大容量可重复编程的程序存储空间。该平台拥有丰富的经过流片验证的各类核心
IP资料库，客户可以随意组合而形成各种IC产品的IP整体解决方案。
SIM（用户识别
模块）卡产品在EF250产品技术平台上的成功应用就是一个典范。在SIM卡产品领域，华虹NEC率先采用闪存技术替代原来的
EEPROM（电可擦写可编程只读 存储器）技术，不仅解决了数据存储的次数技术难题，而且将数据的保存性能提高到远超过EEPROM的技术水平，从而使SIM卡的储存容量从原来的8K字节增加到现在的
256K字节，与此同时促使SIM卡产品的制造成本从原来的50元左右大幅降低到现在的3元～4元水平，不仅突破了国外产品的长期垄断，而且还占据了国内市场的最大份额。此外，基于EF250开发平台，
TPM(可信赖平台模块)类安全芯片产品则在除采用大容量闪存IP外，还集成了华虹NEC开发的各类模拟IP，在国内首次开发成功，打破了该产品的国外垄断，为国内PC的信息安全提供了技术保障。
点评
0.25微米
CMOS技术拥有较高的性价比，同时嵌入的闪存技术，又为SoC产品提供了廉价而且容量足够大的程序存储空间，满足目前电子产品越来越短的升级周期和个性化灵活配置需求，因而拥有巨大的市场应用空间。
0.162微米CMOS工艺技术
该工艺将主要用于制造
MP3播放器控制芯片、闪存控制器芯片、数字电视调制解调芯片，目标市场为中国的数字电视一体机、MP3播放器、闪存控制器等数字消费电子产品。
