单片开关电源高频变压器的设计要点
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单片开关电源集成电路具有高集成度、高性价比、最简外围电路、最佳性能指标等优点，能构成高效率无工频变压器的隔离式开关电源。在1994～2001年，国际上陆续推出了TOPSwitch、TOPSwitchⅡ、TOPSwitchFX、TOPSwitchGX、TinySwitch、TinySwitchⅡ等多种系列的单片开关电源产品，现已成为开发中、小功率开关电源、精密开关电源及开关电源模块的优选集成电路。
高频变压器是开关电源中进行能量储存与传输的重要部件，单片开关电源中高频变压器性能的优劣，不仅对电源效率有较大的影响，而且直接关系到电源的其它技术指标和电磁兼容性（EMC）。为此，一个高效率高频变压器应具备直流损耗和交流损耗低、漏感小、绕组本身的分布电容及各绕组之间的耦合电容要小等条件。下面介绍其设计要点。
降低高频变压器损耗
1直流损耗
高频变压器的直流损耗是由线圈的铜损耗造成的。为提高效率，应尽量选择较粗的导线，并取电流密度J=4～10A／mm2。
2交流损耗
高频变压器的交流损耗是由高频电流的趋肤效应以及磁芯的损耗引起的。高频电流通过导线时总是趋向于从表面流过，这会使导线的有效流通面积减小，并使导线的交流等效阻抗远高于铜电阻。高频电流对导体的穿透能力与开关频率的平方根成反比，为减小交流铜阻抗，导线半径不得超过高频电流可达深度的2倍。可供选用的导线线径与开关频率的关系曲线如图1所示。举例说明，当f=100kHz时，导线直径理论上可取φ0.4mm。但为了减小趋肤效应，实际可用更细的导线多股并绕，而不用一根粗导线绕制。
高频变压器的磁芯损耗也使得电源效率降低。其交流磁通密度可用下式进行估算：
式中：BAC为交流磁通密度，单位是T；
NP、IP分别为初级匝数和初级峰值电流；
KRP为初级脉动电流与峰值电流之比；
δ为磁芯的气隙宽度，单位是cm。
欲设计在连续模式下工作的高频变压器，BAC的典型值约为0.04～0.075T。铁氧体磁芯在100kHz时的损耗应低于50mW/cm3。
减小高频变压器的漏感
在设计高频变压器时必须把漏感减至最小。因为漏感愈大，产生的尖峰电压幅度愈高，漏极钳位电路的损耗就愈大，这必然导致电源效率降低。对于一个符合绝缘及安全性标准的高频变压器，其漏感量应为次级开路时初级电感量的1％～3％。要想达到1％以下的指标，在制造工艺上将难于实现。减小漏感时可采取以下措施：
1）减小初级绕组的匝数NP；
2）增大绕组的宽度（例如选EE型磁芯，以增加骨架宽度b）；
3）增加绕组的高、宽比；
4）减小各绕组之间的绝缘层；
5）增加绕组之间的耦合程度。
1减小初级绕组匝数并增加高与宽之比
