LED器件相关专利简介
1 高功率白LED及其制造方法
公开(公告)号:US101611500
摘要:一种发光装置，其具有用于发射短波长的光的光源。下变频材料接收并下变频至少一些由所述光源发射的短波长的光，并向后散射所接收并下变频的光的一部分。与所述下变频材料相邻的光学器件至少部分包围所述光源。所述光学器件用于提取至少一些所述后向散射的光。密封物基本密封所述光源和所述光学器件之间的间隙。
2 使用GaN LED 芯片的发光器件
公开(公告)号:JP10160*6
摘要:一种发光器件通过倒装芯片安装下列( a) 的GaN 基LED 芯片100来构成:( a) GaN 基LED 芯片100，包括透光衬底101 以及在透光衬底101 上形成的GaN 基半导体层L，其中，GaN 基半导体层L 具有从透光衬底101 侧开始依次包含n 型层102、发光层103和p 型层104的层叠结构，其中正电极E101 在p型层104 上形成，所述电极E101 包含氧化物半导体的透光电极E101a 以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b 的面积< p 型层104 的上表面的面积的1 /2。
3 通过应力调节LED 发光波长的方法及相应的白光LED
公开(公告)号:CN101582473
摘要:本发明提供了一种调节LED 发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n 型欧姆接触层，再沉积一层SiO2薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n 型欧姆接触层、有源层和p 型欧姆接触层。不同形状和尺寸的生长窗口对二次外延器件内部应力的调节可以使同一种生长工艺条件下制备的器件发出不同波段的辐射光。采用这一特殊方法可制备白光LED，即在掩膜的不同区域根据预先设计开设不同形状、尺寸和数量的生长窗口，可从一个器件发出不同波段的辐射光，它们混合后得到白光。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且制备简便，电路简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的电光转化效率。
4 低发热型多波长LED 发光二极管
公开(公告)号:GB101598265
摘要:一种低发热型多波长LED 发光二极管，包含有一多波长LED 晶粒装置及其外周相隔设置一封装头罩;多波长LED 晶粒装置具有多种波长及光色，且至少其中之一为发热光波;封装头罩设为球型透光罩体，具有一内球面及一相对外球面，其对应多波长LED 晶粒装置的光源中心设有投光区域，及其外球面于投光区域外侧设有连续环状的折射切面，以对应发热光波由内往外折射，能够迅速释放热能，相对提高LED 发光二极管照明效能及使用寿命，具备更优异散热效率。
5 多波长LED 晶粒构造及其制造方法
公开(公告)号:GB101599443
摘要:一种多波长LED 晶粒构造及其制造方法，依据多波长LED 晶粒所需的光色选取多片不同波长及光色的单波长LED 磊晶片，且设定各片单波长LED 磊晶片的厚度比值;将上述各片单波长LED 磊晶片平面相叠接合一体，以形成多波长LED 磊晶片;将上述多波长LED 磊晶片切割成多波长LED 磊晶条;沿上述多波长LED 磊晶条的一侧切割面设制一金属反射层;将上述多波长LED 磊晶条及其金属反射层共同切割制出上述多波长LED 晶粒，以发出混光合成特定光色。
