目前普遍认为有如下一些种类：

　　MCM-L h4CM-L(Multi Chip Module-Laminate)是采用多层印刷电路板制成的多芯片模块。

　　MCM-l的制造工艺较为成熟，生产成本较低，因芯片的安装方式和基板的结构有限，高密度布线困难，因此，电性能较差，主要用于30MHz以下的产品，线宽在70-200μm，通孔直径在300-500μm。

　　MCM-C MCM-C (Multi chip Module-Ceramic)是采用厚膜技术和高密度多层布线技术在陶瓷基板上制成的MCM。

　　MCM-C无论结构或制造工艺都与先进HIC极为相似，主要用于30-50MHz的高可靠产品，线宽在100-300μm，通孔直径在10-300μm。

　　MCM-D MCM-D(Multi Chip Module-Deposited Thin Film)是采用薄膜技术将金属材料淀积到陶瓷或硅、铝基板上，光刻出信号线、电源线地线、并依次做成多层基板(多达几十层)。主要用在500MHz以上的高性能产品中，线宽和间距可做到10-25mm μm，孔径在1050μm，因而，具有组装密度高，信号通道短，寄生效应小，噪声低等优点，可明显地改善系统的高频性能。

　　MCM-D按照所使用的基板材料又分为MCM-D／C(陶瓷基板薄膜多层布线的MCM)，MCM-D／M(金属基板薄膜多层布线的多芯片模块)，MCM-D／Si(硅基板薄膜多层布线的多芯片模块)。

　　1、多芯片模块是将多块未封装的IC芯片高密度地安装在同一基板上构成的部件，省去了IC的封装材料和工艺，节省了原料，减少了制造工艺，极大地缩小了体积，与单芯片封装相比重量减轻10倍，体积减小了80-90％。

　　2、多芯片模块是高密度组装产品，其互连线长度极大缩短，与封装好的SMD相比，减小了外引线寄生效应对电路高频，高速性能的影响，芯片间的延迟减小了75％。

　　3、多芯片模块能将数字电器，模拟电路，功能器件，光电器件等合理地制作在同一部件内，构成多功能高性能子系统或系统。

　　4、多芯片模块技术多选用陶瓷材料作为纽装基板，因此，与SMT用PCB基板相比，热匹配性能和耐冷热冲击力要强得多，团而使产品的可靠性获得了极大的提高。