ITO薄膜的基本性能

• 　　如图1所示ITO(In203：SN02=9：1)的微观结构，In，O，里掺人sn后，sn元素可以代替In，O，晶格中的In元素而以SnO，的形式存在，因为In20，中的In元素是三价，形成SnO，时将贡献～个电子到导带上，同时在一定的缺氧状态下产生氧空穴，形成1020至1021cm。3的载流子浓度和10至30cm2／vs的迁移率。这个机理提供了在lO叫n．cp!l数量级的低薄膜电阻率，所以ITO薄膜具有半导体的导电性能。

  　　ITO是一种宽能带薄膜材料，其带隙为3．5-4．3ev。紫外光区产生禁带的励起吸收阈值为3．75ev，相当于330nm的波长，因此紫外光区ITO薄膜的光穿透率极低。同时近红外区由于载流子的等离子体振动现象而产生反射，所以近红外区ITO薄膜的光透过率也是很低的，但可见光区ITO薄膜的透过率非常好，由图2可知。由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化学性能，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光区较高的光透过率。