Vin >= Vdrop + Vout。

　　且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电容或MLCC。

　　在LDO(Low Dropout)稳压器（图2：LDO稳压器内部结构框图）中，导通管是一个PNP管。LDO的最大优势就是PNP管只会带来很小的导通压降，满载（Full-load）的跌落电压的典型值小于500mV，轻载（Light loads）时的压降仅有10～20mV。LDO的压差为：

　　Vdrop ＝ Vsat （LDO 稳压器）

　　LDO稳压器电路是一种用途极为广泛的集成电路（IC)。

　　1、电路架构简单

　　2、输出纹涟漪很低

　　3、外部组件很少且简单等等。

　　压差Dropout、噪音Noise、共模/纹波抑制比（PSRR）、静态电流Iq，这是LDO的四大关键数据。

　　产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音（纹波），在没有RF的便携式产品需求静态电流小的LDO。