
1.根据制造工艺分:
扩散功率二极管
外延功率二极管
2.根据特性参数(trr)分:
普通整流功率二极管
快恢复二极管
超快恢复二极管
肖特基二极管(SBD)
3.根据结构来分:
螺栓型
平板型
基本结构:pnn+结构和p+pnn+结构
制作工艺:外延和扩散
外延功率二极管--pnn+(pin)结构
扩散功率二极管--p+pnn+结构
1)当 当功率二极管的UAK<0时,p+n结反偏,承担反向电压,功率二极管处于反向阻断状态,此时漏电流很小。当UAK 继续增加,直到大于p+n 结雪崩击穿电压UBD时,功率二极管发生雪崩击穿,此时漏电流急剧增加。
2)当 UAK>0时,p+阳极区向n区注入空穴,n+阴极区向n区注入电子;当n区充满大量的非平衡载流子( △n=△p>>nn0 ) ,即达到大注入时,n区内发生电导调制效应,功率二极管处于正向导通状态,此时通过器件的电流很大,两端的压降很低。