LED灯衬底材料的选择主要取决于以下9个方面，衬底的选择要同时满足全部应该有的好特性。所以，目前只能通过外延生长技术的变更和器件加工制程的调整来适应不同衬底上的半导体发光器件的研发和生产。用于氮化镓研究的衬底材料比较多，但是能用于生产的衬底目前只有二种，即蓝宝石Al2O3和碳化硅SiC衬底。

　　如果我们来看LED衬底材料，好的材料应该有的特性如下：

　　1、结构特性好，晶圆材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小。

　　2、接口特性好，有利于晶圆料成核且黏附性强。

　　3、化学稳定性好，在晶圆生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀。

　　4、热学性能好，包括导热性好和热失配度小。

　　5、导电性好，能制成上下结构。

　　6、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小。

　　7、机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等。

　　8、价格低廉。

　　9、大尺寸，一般要求直径不小于2英寸。

　　1、氮化镓衬底

　　用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料，这样可以大大提高晶圆膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材料非常困难，到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过HVPE方法在其它衬底(如Al2O3、SiC、LGO)上生长氮化镓厚膜，然后通过剥离技术实现衬底和氮化镓厚膜的分离，分离后的氮化镓厚膜可作为外延用的衬底。这样获得的氮化镓厚膜优点非常明显，即以它为衬底外延的氮化镓薄膜的位错密度，比在Al2O3、SiC上外延的氮化镓薄膜的位错密度要明显低；但价格昂贵。因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。

　　2、 Al2O3衬底