图1是RRAM器件典型的“三明治”(MIM)结构示意图,其上下电极之间是能够发生电阻转变的阻变层材料。在外加偏压的作用下,器件的电阻会在高低阻态之间发生转换,从而实现“0”和“1”的存储。与传统浮栅型Flash的电荷存储机制不一样,RRAM是非电荷存储机制,因此可以解决Flash中因隧穿氧化层变薄而造成的电荷泄漏问题,具有更好的可缩小性。
