当忆阻作为电器元件时，我们可以对其施加不同的电流，使其进入到不同的状态，并且忆阻元件会记住这种状态，即使是施加的电流消失后，仍然会保持着这种状态。换句话说，它可以充当非易失性闪存的替代品。

　　2000年之后，研究人员在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化，并应用到了下一代非挥发性存储器——阻抗存储器(RRAM)中。2008年4月，惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件，并首先将RRAM和忆阻器联系起来。2009年12月，研究员可以构建一个忆阻组成的三维数组，可以存储每一个数据地址。因此，可以通过忆阻来存储和读取大量的信息。

　　在1971年，非线性电路理论先驱、美国加利福尼亚大学伯克利分校的华裔科学家蔡少堂就从理论上预言，除电容、电感和电阻之外，电子电路还应该存在第四种基本元件——忆阻。实际上，忆阻是一种具有记忆功能的非线性电阻，可通过电流的变化控制其阻值的变化，如果将忆阻的高阻值和低阻值分别定义为１和０，就可以通过二进制的方式来存储数据。

　　如今，美国惠普公司实验室的斯坦·威廉斯和同事在进行极小型电路实验时终于制造出忆阻的实物模型。威廉斯等人在新一期英国《自然》杂志上撰文说，他们像制作三明治一样将一层纳米级的二氧化钛半导体薄膜夹在由铂制成的两个金属薄片之间。这些材料都是标准材料，制作忆阻的窍门是使其组成部分只有５纳米大小，也就是说仅相当于人的一根头发丝的１万分之一那么细。

　　科学家指出，只有在纳米尺度上，忆阻的工作状态才可以被察觉到。他们希望这种新元件能够给计算机的制造和运行方式带来革命性变革。科学家说，用忆阻电路制造出的计算机将能“记忆”先前处理的事情，并在断电后“冻结”这种“记忆”。这将使计算机可以反复立即开关，因为所有组件都不必经过“导入”过程就能即刻回复到最近的结束状态。