现在市面上仍然不能买到忆阻器。但是，考虑到忆阻器历经多年，直至今年才被认可——以前理论中的第四种基本电路，被HP实验室研究员最终证明了其在现实中存在之后，此技术可谓是一夜成名。

　　图中为一个由17个忆阻器列成一排而组成的简单电路，其中每个忆阻器有一个底部导线，其与器件的一端相连；还有一个顶部导线，其与器件的另一端相连。

　　在忆阻器中，磁通量（ΦB）受到累积的电荷（q）所影响。磁通量按电荷的改变率称之为“忆阻值”：

　　故此忆阻值可以与其余三种基本的电子元件作出比较：

　　电阻：

　　电感：

　　电容：

　　当中q是电荷；I是电流；V是电压；而ΦB则是磁通量。

　　根据法拉第电磁感应定律及复合函数求导法则，可见忆阻器的电压V是与电流I及忆阻值的积有关：

　　由此可见，忆阻器可以成为一个电阻器。但是“电阻”的M(q)会随累积的电荷而改变。忆阻值可以说是随流经忆阻器的电流历史所改变，彷如在电容器的电压一般。