智能功率模块,概述,结构形式,内部机制,保护功能
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智能功率模块,概述,结构形式,内部机制,保护功能  2011/10/3

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  • 智能功率模块概述
  • 智能功率模块结构形式
  • 智能功率模块的内部机制
  • 智能功率模块保护功能
智能功率模块

智能功率模块概述

  •   随着电子技术的发展,功率半导体技术已经成为现代电力电子技术的核心。以绝缘栅双极型晶体管(IGBT)为代表的功率器件,在众多工业控制领域得到越来越广泛的应用。IGBT作为一种典型的双极性MOS复合型功率器件,集MOSFET与GTR(大功率晶体管)的优点于一身,既具有输入阻抗高,开关速度快,热稳定性好和驱动电路简单的长处,又具有通态电压低,耐压高和承受电流大的优点。

智能功率模块结构形式

  •   IPM是由高速低功耗的IGBT芯片和优先的门级驱动及保护电路构成,如图1所示。根据内部功率电路配置的不同,IPM分为H型、D型、C型和R型4种。图中,H型内部封装1个IGBT,D型内部封装2个IGBT,C型内部封装6个IGBT,R型内部封装7个IGBT。

智能功率模块的内部机制

  •   IPM内部设有栅极驱动控制电路、故障检测电路和各种保护电路,采用带有电流传感器的IGBT芯片,用以监测IGBT的主电流。而内部故障保护电路主要用以检测过流、过热和欠压等故障。图2为IPM功能框图。

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