● 采用2048×8位存储结构；

　　● 读写次数高达1百亿次；

　　● 在温度为55℃时，10年数据保存能力；

　　● 无延时写入数据；

　　● 先进的高可靠性铁电存储方式；

　　● 连接方式为高速串行接口（SPI）总线方式，且具有SPI方式0和3两种方式；

　　● 总线频率高达5MHz；

　　● 硬件上可直接取代EEPROM；

　　● 具有先进的写保护设计，包括硬件保护和软件保护双重保护功能；

　　● 低功耗，待机电流仅为10μA；

　　● 采用单电源+5V供电；

　　● 工业温度范围：-40℃至+85℃；

　　● 采用8脚SOP 或DIP封装形式；

　　基于以上特点， FRAM存储器非常适用于非易失性且需要频繁快速存储数据的场合。其应用范围包括对写周期时序有严格要求的数据采集系统和使用EEPROM时由于其写周期长而可能会引起数据丢失的工业控制等领域。

　　(1) 早期的FRAM读/写速度不一样，写入时间更长一些，在使用上要注意。近期的FRAM读/写速度是一样的。例如，上述FM1808的一次读/写时间为70 ns。一般地，一次读/写的时间短，而连续的读/写周期要长一些。例如，Ramtron公司新近推出的128 K×8 bit的FRAM芯片FM20L08的一次读/写时间为60ns，而其连续的读/写周期为150 ns。这对多数工控机来说还是可以满足要求的。

　　(2) FRAM在功耗、写入速度等许多方面都远远优于EPROM或EEPROM。这里特别提出的是写入次数，FRAM比EPROM或EEPROM要大得多。EPROM的写入次数在万次左右，而EEPROM的写入次数一般为1万～10万次，个别芯片能达到100万次。

　　早期的FRAM的写入次数为几百亿次，而目前的芯片可达万亿次甚至是无限多次。