所谓迅盘，就是Intel提出的Turbo Memory，俗称硬盘加速卡、Robson卡或flash cache

　　module，是英特尔在迅驰技术的传统三大件处理器、芯片组和无线网卡之后，又附加的一个配件。

　　迅盘实际上就是一个NAND Flash模块，其外型是在一片长方形的电路板，有一颗控制芯片跟数个NAND颗粒。Turbo Memory迅盘模块可安装在笔记本主机的MiniCard插槽上，跟无线网卡的接口相同，也同样是通过PCI-E接口连接南桥芯片。

　　大致上，Turbo Memory迅盘到目前为止一共推出两代产品，核心代号称为Robson。第一代是迅驰Santa Rosa平台新增的一项选配组件， 容量有512MB和1GB两种规格，第二代大致与迅驰2

　　Montevina平台同期推出，有2GB和4GB两种规格。

　　Turbo Memory迅盘的原理很简单，利用闪存来代替硬盘储存启动操作系统所需的文件，再利用其存取速度高于硬盘的优势，让开机速度加快，并在应用程序执行时作为CPU与内存间的缓存区，达到加快存取速度的目的。而且闪存不像物理内存那样需随时供电，也不像硬盘那样需要供应高转速马达的电力，所以整体平台也较为省电。

　　介绍迅盘的存储介质--NAND高速闪存模块。提到高速闪存模块，就要从闪存模块的种类谈起。

　　·闪存的种类：NOR与NAND

　　一般高速闪存模块分为两种规格，NOR Flash和NAND Flash，它们均为非易失性闪存模块。NOR又称Code Flash，有些类似于DRAM。它以存储程序代码为主，所以可以让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为512MB。而NAND闪存则更像硬盘，它以存储数据为主，故又称Data Flash。它的特点是晶片容量大，目前主流容量分为512MB、1GB、2GB等。二者最大的区别在于读写速度，NAND闪存写入与清除资料的速度远快于NOR，但是NOR闪存在读取资料的速度则快于NAND规格。NAND多应用在小型机，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中，如手机。

　　Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。随后，1989年，东芝 公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。在近20年的时间里，这两种类型的闪存技术被广泛应用到手机市场、数码相机市场以及移动存储市场。