以28F040为例，主要有如下几种工作类型：

　　① 读出类型。它包括从28F040中读出某个单元的数据，读出芯片内部状态寄存器中的内容，读出芯片内部的厂家标记和器件标记这三种情况。

　　② 写入编程类型。它包括对28F040进行编程写入及对其内部各32KB块的软件保护。

　　③擦除类型。它包括对整片一次擦除或只擦除片内某些块以及在擦除过程中使擦除挂起和恢复擦除。

　　闪速EEPROM器件具有 EEPROM 与 NOR 技术 Flash Memory 二者折衷的性能特点：

　　（ 1 ） 读写的灵活性逊于 EEPROM ，不能直接改写数据。在编程之前需要先进行页擦除，但与 NOR 技术 Flash Memory 的块结构相比其页尺寸小，具有快速随机读取和快编程、快擦除的特点。

　　（ 2 ） 与 EEPROM 比较，具有明显的成本优势。

　　（ 3 ） 存储密度比 EEPROM 大，但比 NOR 技术 Flash Memory 小，如 Small Sector Flash Memory 的存储密度可达到 4Mb ，而 32Mb 的 DataFlash Memory 芯片有试用样品提供。正因为这类器件在性能上的灵活性和成本上的优势，使其在如今闪速存储器市场上仍占有一席之地。

　　(1) 用作外存储器。由于闪速EEPROM的集成度已经做得很高，因此利用它构成存储卡已十分普遍。就以上述的28F040为例，利用4片这样的芯片构成2 MB存储卡，完全可以替代软磁盘，而且目前除价格稍高外，其他各方面都优于软磁盘。

　　目前已有许多厂家提供各种容量的存储卡(包括数字相机中的存储卡、U盘等)，而且其接口总线也有标准，例如USB、PCMCIA及下面将要提到的接口。