导通电阻 0.75Ω@VIN=2.9V(TYP.)

　　1.15Ω@VIN=1.8V (TYP.)

　　输出电流 200mA(300mA限流TYP.)

　　输入电压范围 1.8V～6.0V(绝对最大额定值:6.5V)

　　低消耗电流 3.0μA@ VIN=1.8V

　　待机电流 0.1μA

　　保护电路 定电流限流300mA(TYP.)

　　短路保护 短路电流30mA(TYP.)

　　ON/OFF功能 高电平ON

　　采用USP-4封装,并且不需要电容等外部元件,有助于实现电源电路的小型化,大大节省了空间。

　　CE端输入低电压时,芯片处于节电模式,如果此时输出端接有电容,在节电模式下,内部开关导通,能实现电容高速放电,使VOUT端电压快速回归到VSS程度。

　　内置Foldback型过电流保护电路,能在输出端出现过电流和短路时提供保护。

　　功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件：导通时其导通电阻RDS(ON)很小；在关断时其漏电流IDSS很小。另外，它的耐压范围很宽，从几十V到几百V，漏极电源范围宽，从几A到几十A，所以非常适合作负载开关。

　　N沟道MOSFET可以组成最简单的负载开关，如图1所示。负载接在电源与漏极之间（负载可以是直流电动机、散热风扇、大功率LED、白炽灯泡或螺管线圈等）。在其栅极上加一个逻辑高电平，则N-MOSFET导通，负载得电；在其栅极加一个逻辑低电平，则N-MOSFET关断，负载失电。