混频二极管,混频二极管的原理，电特性，典型应用
1、正向特性
这里以日立公司的1SS86/1SS87为例说明。它们的正向特性由图1所示，当正向电流IF为1mA时，1SS86的正向压降VF≤0.2V，1SS87的VF≤0.45V；当IF为10mA时，1SS86的VF=0.4V，1SS87的VF=0.6V。另外，从表1中可知，国外混频二极管的正向特性越做越好，主要表现在正向特性的一致性更好，有类似于变容管的配对特性，如在IF=10mA下，1SS165的VF=520mV～600mV±5mV；HSM88S/SR与HSM88AS/ASR的VF分别为520mV～600mV±10mV和500mV～580mV±10mV，表明VF的偏差只有5mV～10mV。
2、反向特性
它们的反向特性由图2所示。混频二极管的反向漏电流较小，如在VR=2V下，1SS86的IR为20μA，1SS87的IR为1μA；在VR=4V下，1SS86的IR为70μA，1SS87的IR为4μA，表明1SS87的反向特性比1SS86好。混频器要求混频二极管的反向漏电流小，这样，混频器的噪声系数也小。
3、结电容
它们的结电容与反向电压的关系由图3所示。当VR=0V时，1SS86/1SS87的结电容C都小于0.85pF；在VR=1V时，它们的电容C都小于0.7pF。由于混频二极管的结电容较小，所以混频器的频率较高。另外，从表1可知，国外混频二极管的结电容的偏差也越来越小，如在VR=0V时，1SS88/1SS165/1SS166的电容偏差ΔC均为±0.05pF；HSM88S/SR、HSM88AS/ASR和HSM88WA/WK的ΔC均为±0.1pF。
