硅具有Fd3m空间群的金刚石结构，属立方体系。由沿体对角线方向位移1/4体对角线距离的两套面心立方子晶格嵌套而成。

　　图1.6.1是从硅晶胞[001][011][111]方向的透视图，硅的室温物理、化学、光学、物理性质列于下表：

　　1.太阳能电池

　　为克服GAsS异质结材料的晶格失配大(4)a/i及热膨胀系数不匹配问题,首先采用Ge缓冲层,制成Ga/e￥结构",在硅上生长Ge作AsG/i单晶的研究较多,有用电子柬蒸发法或MB法,翦者可控性差,工艺复杂,后者在同一系统中生长,提高了可控性,使GAsEa层性能改善.但由于G向Ga生长层扩散系数大,使后来生长的GAsbeAsa~延层被Ge沾污,因此虽然可用GAsGeS材料制成了太阳能电池,效率12%,性能不佳.

　　2.发光管

　　RobertM.等人采用VEP技术在硅衬底上生长Ge膜,再用MOVD技术在Si/Ge瞳上生长多层Ga层,制成异质结材料Zn扩散后分别蒸发PtAuAuNi,作P面和n电极籼成发光管,其性能为:发射波长82m,△=3u.日本OKI电子公面7n5rn司采用低压MOC技术,在硅衬底上获得结晶性能良好的GAsGaAsVDa/A1外延层,制成可见光发光管,其正向IV性曲线很徒,反向为硬击穿,表明GaAs—特AI为突变结,其光谱波长=70m,A~5m,在100n4n0mA下输出功率06.mw,外量子效率03%.