GaN 基材料主要包括 GaN 及其与 InN、AlN 的合金,其禁带宽度覆盖整个可见光及紫外光谱范围。 GaN 及其三元化合物通常是以六方对称性的纤锌矿结构存在,但在一定条件下也能以立方对称性的闪锌矿结构存在。2 种结构的主要差别在于原子层的堆积次序不同,因而电学性质也有显着差别。由于闪锌矿结构的 GaN 不稳定,用于器件的一般都是纤锌矿结构。表1 给出了2 种结构的 GaN 及 InN、 AlN 的带隙宽度和晶格常数。

　　对于 InGaN、Al GaN 等三元化合物的各项参数可以用插值法估算: