E类功率放大器,E类功放的CMOS集成,E类功放的自适应效率提高技术,E类功率放大器的典型电路
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E类功率放大器,E类功放的CMOS集成,E类功放的自适应效率提高技术,E类功率放大器的典型电路  2011/10/3

目录

  • E类功放的CMOS集成
  • E类功放的自适应效率提高技术
  • E类功率放大器的典型电路
E类功率放大器

E类功放的CMOS集成

  •   为了做到使用相同的工艺和流程将射频和数字基带处理集成在一起,对E类功放进行CMOS集成电路设计的研究也较多。但CMOS电路的开关性能较差,击穿电压也较低,并且随着CMOS供电电压的逐步降低,高性能E类功放的CMOS集成电路设计变得比较困难,其中的一些研究成果如表所示。CMOS集成的E类功放存在的问题还包括:CMOS电路制造的元器件值偏差较大,较大的输出电容限制了E类功放的工作频率等。虽然BiCMOS工艺能够极大的提高晶体管的开关性能,使得E类功放的性能提升,但与数字基带不兼容的工艺流程使其普及仍然较困难。

E类功放的自适应效率提高技术

  •   理想E类功放的效率是100%,但因为各种设计条件的偏差,例如元器件值、非理想开关等因素,会造成实际效率降低。显然,如果能够实时的纠正这些偏差将能够提高E类功放的效率。现在的文献主要对E类功放的零电压开关(ZeroVoltageSwitching,ZVS)条件是否满足的检测方法进行了研究。当E类功放的开关状态检测到以后,即可以通过电调器件对电路参数进行实时调整,使E类功放的开关状态返回到最佳状态,以提高效率。当然,自适应效率提高技术所添加的额外电路也会带来的系统效率下降。

E类功率放大器的典型电路

  •   E类功率放大器的典型电路是由单个晶体管和负载两蹯所组成,在输入信号的激励下,晶休管呈开关状态。它的最大优点是管子需待管压降降至最低(即等于VcBs)时, 电流才能导通一截止时需满足集电极电流降至零时,集电极电压才开始上升, 以防高电压,大电流同时存在。其电路原理如图4所示。

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