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晶片,晶片的分类,晶片参数指标等  2011/10/3

目录

  • 晶片的结构
  • 晶片的主要参数
  • 晶片的检测
  • 晶片材料及制作方法
晶片

晶片的结构

  •   1.电极的材质:铝或金

      2.焊单线晶片上面电极外形:

      3.焊单线晶片下面电极的外形

      4.晶片的颜色:红色不透明,红色透明,暗红色,黑色,白色透明 等

      5.晶片尺寸定义:以晶片底部尺寸较大的那条边尺寸为准

      6.焊单线晶片电极特性:正极性晶片及反极性晶片

      7.晶片电极的连接及对发光的影响

      (1) 上面电极用来焊接金线或铝线,电极太大会影响发光效率,电极太小使电流 不能流到晶片全体,同样也会影响发光效率。

      (2) 下面电极通过银胶与支架或 PCB 接触,它是用来使电流均匀流到晶片内,下 面电极有圆形,格子状或全面电极,全面电极导电性好,但对光的吸收要太 于前两种形状。

晶片的主要参数

  •   1.伏安特性

      2.顺向电压(VF):施加在晶片两端,使晶片正向导通的电压。此电压与晶片 本身有关,与测试电流也有关。顺向电压过大,会使晶片被击穿。单位:V

      3.顺向电流(IF):晶片在施加一定电压后,所产生的正向导通电流。 顺向电流的大小,与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在 10-20mA 左右。单 位:mA

      4.反向电压(VR):施加在晶片上的,晶片保持截止状态的电压。

      5.反向电流(IR):指的是晶片施加反向电压所产生的电流,此电流越小越好。 此电流过大容易造成反向击穿。

      6.亮度(IV):指的是光源的明亮程度。 单位换算:1cd=1000mcd 1mcd=1000cd 7.波长(HUE):反映晶片发光颜色。单位:nm 波长不同晶片,其发光颜色不同。

      8.不同波长光的定义

      (1)波长大于 0.1mm 电波

      (2)760 nm –0.1mm 红外光

      (3)380 nm -760nm 可见光

      (4)10 nm-380 nm 紫外光

晶片的检测

  •   1、来料资料有无规格书(没有规格书不建议盲目的去实验);

      2、来料的芯片参数(亮度、电压、波长等)是否符合规格要求,外观(电极位置)是否与规格书上相同;

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