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氧化物半导体TFT,氧化物半导体TFT的分类,氧化物半导体TFT参数指标等  2011/10/3

目录

  • 氧化物半导体TFT的特点
  • 氧化物半导体TFT的应用
  • 氧化物半导体TFT的发展现状
氧化物半导体TFT

氧化物半导体TFT的特点

  •   载流子迁移率高

      特性不均现象少

      材料和工艺成本降低

      工艺温度低

      可利用涂布工艺

      透明率高

      带隙大

氧化物半导体TFT的应用

  •   氧化物半导体TFT广泛的应用于超高清液晶显示器、有机EL显示器、电子纸、柔性显示器、柔性IC、透明显示器、透明IC、透明太阳能电池、透明LED等产品中。

氧化物半导体TFT的发展现状

  •   氧化物半导体TFT是透明非晶氧化物半导体TFT(TAOS-TFT)的代表,被视为新一代显示器用薄膜晶体管(TFT)最有希望的候补技术。近来将其应用于柔性显示器的开发成果接连不断。在2010年1月25~26日举行的“International Workshop on Transparent Amorphous Oxide Semiconductors(TAOS 2010)”上,凸版印刷公开了以应用于电子纸领域为目的的开发成果,而大日本印刷则展示了柔性有机EL面板的试制结果。另外,美国俄勒冈州立大学(Oregon State University)也发表了利用印刷法制造TAOS-TFT的研究成果。

      凸版印刷确立了利用印刷法来制造电子纸的目标,目前正考虑在该领域应用TAOS-TFT。该公司曾于2009年12月发表相关成果,使用TAOS涂膜在玻璃底板上制造TAOS-TFT后成功驱动了电子纸。此次介绍了之后的进展。首先将2009年12月发表时只有0.5cm2/Vs的TAOS-TFT迁移率提高到了10倍,达到了5.4cm2/Vs。凸版印刷综合研究所新一代环境能源研究所高级首席研究员伊藤学称:“这是通过改进涂布材料、元器件结构及钝化膜等手段实现的。”另外,所驱动的面板的分辨率也有所提高。2009年12月时驱动的只是2英寸QQVGA(80×60像素)50ppi(pixel per inch)面板,而此次驱动的则是VGA(640×480像素)400ppi面板。

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