电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构,提高了器件的耐电压和耐电流的能力.按垂直导电结构的不同,又可分为2种:V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET.电力场效应晶体管采用多单元集成结构,一个器件由成千上万个小的MOSFET组成.N沟道增强型双扩散电力场效应晶体管一个单元的部面图,如图1(a)所示.电气符号,如图1(b)所示.

　　电力场效应晶体管有3个端子:漏极D,源极S和栅极G.当漏极接电源正,源极接电源负时,栅极和源极之间电压为0,沟道不导电,管子处于截止.如果并且使UGS大于或等于管子的开启电压UT,在栅极和源极之间加一正向电压UGS,则管子开通,在漏,源极间流过电流ID.UGS超过UT越大,导电能力越强,漏极电流越大.

　　Power MOSFET 静态特性主要指输出特性和转移特性, 与静态特性对应的主 要参数有漏极击穿电压,漏极额定电压,漏极额定电流和栅极开启电压等.

　　1, 静态特性

　　(1) 输出特性 输出特性即是漏极的伏安特性.特性曲线,如图 2(b)所示.由图所见,输出 特性分为截止,饱和与非饱和 3 个区域.这里饱和,非饱和的概念与 GTR 不同. 饱和是指漏极电流 ID 不随漏源电压 UDS 的增加而增加,也就是基本保持不变;非 饱和是指地 UCS 一定时,ID 随 UDS 增加呈线性关系变化.

　　(2) 转移特性 转移特性表示漏极电流 ID 与栅源之间电压 UGS 的转移特性关系曲线, 如图 2(a) 所示. 转移特性可表示出器件的放大能力, 并且是与 GTR 中的电流增益 β 相似. 由于 Power MOSFET 是压控器件,因此用跨导这一参数来表示.跨导定义为 (1) 图中 UT 为开启电压,只有当 UGS=UT 时才会出现导电沟道,产生漏极电流 ID

　　2, 动态特性

　　动态特性主要描述输入量与输出量之间的时间关系,它影响器件的开关过程.由于该器件为单极型,靠多数载流子导 电,因此开关速度快,时间短,一般在纳秒数量级.

　　Power MOSFET 的动态特性.如图所示.