晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪的分类,晶体管特性图示仪参数指标等
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晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪的分类,晶体管特性图示仪参数指标等  2011/10/3

目录

  • 晶体管特性图示仪的用途
  • 晶体管特性图示仪的主要技术指标
  • 晶体管特性图示仪的构成
  • 晶体管特性图示仪的原理
  • 晶体管特性图示仪的注意事项
晶体管特性图示仪

晶体管特性图示仪的用途

  •   晶体管特性图示仪可用来测定晶体管的共集电极、共基极、共发射极的输入特性、输出特性、转换特性、α、β参数特性;可测定各种反向饱和电流 ICBO、ICEO、IEB0和各种击穿电压 BUCBO、BUCEO、BUEBO等;还可以测定二极管、稳压管、可控硅、隧道二极管、场效应管及数字集成电路的特性,用途广泛。

晶体管特性图示仪的主要技术指标

  •   (l)Y轴编转因数:

      集电极电流范围:0.01~1000毫安/度,分十六档,误差≤±3%;

      集电极电流倍率:分×2、×1、×0.l三档,误差≤±3%;

      基极电压范围:0.01~0.5V/度,分六档,误差≤±3%;

      基极电流或基极源电压:0.05V/度,误差≤±3%;

      外接输入:0.1V/度,误差≤±3%;

      (2)X轴偏转因数:

      集电极电压范围:0.01~20V/度,分十一档,误差≤±3%;

      基极电压范围:0.01~0.5V/度,分六档,误差≤±3%;

      基极电流或基极源电压:0.5V/度,误差≤±3%;

      外接输入:  0.1V/度,误差≤±3%。

      (3)基极阶梯信号:

      阶梯电流范围:0.001~ 200mA/度,分十七档;

      阶梯电压范围:0.01~0.2V/级,分五档;

      串联电阻:10Ω~22KΩ,分 24档;

      每族级数:4~12连续可变;

      每秒级数:100或200,共3档;

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