1、击穿电压VDSS 测量范围： 0—1999V， 精度：≤2.5[%] 。

　　2、IDSS 可分三挡选择： 1mA、250uA、25uA 。

　　3、栅极开启电压VGS（th） 测量范围： 0—10V。 精度：≤5[%] 。

　　4、Gfs 跨导测试电流Idm：不小于1—50 A 连续可调， 精度：≤10 [%] 。

　　5、Gfs 跨导测试范围：1—100 。

　　6、电源电压：AC220V，50HZ， 功率：≤30W。

　　7、工作环境：0—40°C ， 相对湿度：≯85[%] 。

　　8、外形尺寸：280×230×130mm 。

　　9、重量：约3 Kg 。

　　1、功率场效应管的击穿电压VDSS、栅极开启电压VGS(th)、跨导Gfs 的测试。

　　2、IGBT 的击穿电压V(BR)CES、栅极开启电压VGE(th)、跨导Gfs 的测试。

　　3、功率场效应管和IGBT 在50A 以下大电流状态下一致性的测试，可用于配对。

　　4、其它更大电流的功率场效应管及IGBT 在50A 电流条件下的测试。

　　5、各类晶体三极管、二极管、稳压管击穿电压的测试。

　　6、压敏电阻电压的测试等。

　　打开电源开关前应检查：Idm开关和高压开关应拨在OFF 位置上。

　　1、塑封功率场效应管的测试： 按第五条：“测试盒与附加测试线”的说明，连接好场效应管专用测试盒和专用的两根粗的附加测试线。

　　⑴、击穿电压 VDSS 和栅极开启电压 VGS（th)的测量：先根据被测管测量 VDSS 和 VGS （th)的技术条件，选择好Idss 开关上的电流值（在不知道测试条件时一般是MOS 功率场效应管选择250uA，IGBT 选择1mA）。把高压开关拨至ON，先调节“高压调节”电位器使数字表显示在大于被测器件击穿电压的 130[%]-150[%]左右，测试时只要击穿指示灯亮了就说明电压已经够了，反之则再调高一些也无仿，注意：调好后必须把“高压”开关关断（OFF 位置上）。