功率MOSFET可分成两类：P沟道及N沟道：中间箭头向里的是N沟道而箭头向外的是P沟道。它有三个极：漏极（D）。源极（S）及栅极（G）。有一些功率MOS-FET内部在漏源极之间并接了一个二极管或肖特基二极管，这是在接电感负载时，防止反电势损坏 MOSFET。

　　这两类MOSFET的工作原理相同，仅电源电压控制电压的极性相反。

　　截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P 基区与N 漂移区之间形成的PN 结 J 1 反偏，漏源极之间无电流流过。

　　导电：在栅源极间加正电压 U GS ，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面 P 区中的空穴推开，而将 P 区中的少子—电子吸引到栅极下面的 P 区表面,当 U GS 大于 U T （开启电压或阈值电压）时，栅极下 P 区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使 P 型半导体反型成 N 型而成为反型层，该反型层形成 N 沟道而使 PN 结 J 1 消失，漏极和源极导电。

　　1、mosfet是电压控制型器件，因此在驱动大电流时无需推动级。电路较简单

　　2、输入阻抗高，可达108Ω以上

　　3、工作频率范围宽，开关速度高（开关时间为几十纳秒到几百纳秒），开关损耗小

　　4、有较优良的线性区，并且mosfet的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高，噪声也小，最适合制作Hi-Fi音响