Vrwm可承受的反向电压：在此阶段瞬态电压抑制二极管为不导通之状态。Vrwm必需大於电路的正常工作电压, 否则瞬态电压抑制二极管会不断截止回路电压。但Vrwm需要尽量与被保护回路的正常工作电压接近,这样才不会在瞬态电压抑制二极管工作以前使整个迥路面对过压威胁。

　　Vbr反向崩溃电压：当瞬态电压超过Vbr,瞬态电压抑制二极管便产生崩溃把瞬态电压抑制在某个水平,提供瞬态电流一个超低电阻通路,让瞬态电流透过瞬态电压抑制二极管被引开,避开被保护元件。

　　Ir反向漏电电流：瞬态电压抑制二极管是以反向电流的方式连接在线路上,一般都会有10-100A的反向漏电电流。

　　Vc瞬态电压抑制二极管的抑制电压：Vc是在瞬态电压冲击时,例如静电,在截止状态所提供的电压。Vc也是用来测定瞬态电压抑制二极管在抑制瞬态电压时的性能。Vc不能大於被保护迥路的可承受极限电压,否则元件面临被损坏。Vc通常都是越小越好。

　　TVS瞬态电压抑制二极管的电容值：对於数据/ 讯号频率越高的回路,瞬态电压抑制二极管的电容值对电路的干扰越大。这会形成噪音或衰减讯号强度。高频迥路或高传输如USB2.0,1394,需要选择低电容值瞬态电压抑制二极管,电容值不大於10pF。而对电容值要求不高的回路,电容值可高於100pF。

　　1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。

　　2、TVS额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。