制造激光器首先要有产生光的源，最重要的是要使粒子束翻转，这样才能够产生受激辐射，产生受激辐射光，在谐振腔作用下产生最后的激光。用异质结制作的半导体激光器可以把载流子限制在发光区，使大量的将要复合的电子和空穴沉积在窄带上，翻转的粒子束大于普通的半导体激光器。

　　ALGaAs+ｎ和ALGaAs+ｐ是宽带中间是GaAs窄带，加正向偏压的情况下从ALGaAs+ｎ的导带越过尖势垒向GaAs注入电子，电子由于受到同型异质结ALGaAs+ｐ的势垒的作用在窄带处沉积，当然有少量的电子越过势垒跑掉了。同样在价带处，空穴从ALGaAs+ｐ注入到窄带中，受到ALGaAs+ｎ势垒的作用后沉积在窄带。那么在GaAs上形成了粒子束的反转。可以发现两边的宽带限制了载流子的运动，称为限制区。中间是实现粒子复合的区域成为有源区。

　　和同质结激光器相比，异质结激光器由于宽带对有源区的限制，使发光的位置仅限于了有源区，使发光的区域集中，光强更大。双侧的异质结在两边提供了限制，单边异质结只能提供一边的限制。

　　导带中的电子为了能够达到激射阈值需要注入2×1018/cm2个，为了能够在源区限制住这些电子需要有一定高度的势垒，这个势垒高度就是由结区的内建电势和ΔE共同决定的。电子基本处于Γ带中，其相邻的L带还有一部分在DEｃ下,X带的载流子都可以越过势垒。同样为了限制空穴要求提高价带的势垒 ，但是提高势垒会导致电子注入减小，这是不允许的，所以要有一个中间的度。能量高过势垒的电子和空穴都会漏掉。

　　另外由于限制区掺了Al，折射率减小，有源区中辐射的光子在有源区中损耗很大，如果生长一层掺杂很大的盖帽层能够实现很好的欧姆接触。

　　制造量子阱激光器是半导体激光器的重要一支，要使反转粒子数增大，这样就需要多造出量子阱。多造出一些量子阱，使有源区的面积扩大，但这样会增加制造的难度，主要是导带和价带的量子阱要在同一个平面内，这个在数量大时不容易实现。量子阱激光器的辐射复合是发生在价带和导带中分裂能级中的粒子。在分裂能级中态密度阶梯变化。由于分裂的能带不再是原来的导带底和价带顶，因此复合的能级会加大，出现激光的波长蓝移，通常有 ，一般势阱宽度小于电子空穴的扩散长度所以都限制在势阱中，粒子数反转的量很大。

　　一.异质结激光器的结构

　　A.单异质结激光器与双异质结激光器（从材料）

　　GaAs材料与GaAl材料

　　Ga1-xAlxAs是指在GaAs材料中掺入AlAs而形成，叫作砷镓铝晶体，1-x,x是指AlAs与GaAs的比例。

　　B.反型异质结与同型异质结（从导电类型）