当输入电压（VDD）高于检测电压（-VDET）时，输入电压等于输出电压（VOUT），N沟道漏极开路MOSFET关断。如图3（a）所示。

　　当输入电压（VDD）低于检测电压（-VMIN）时，输出电压（VOUT）等于VSS。

　　当输入电压（VDD）下降到最低工作电压（VMIN）时，输出电压不确定。

　　输入电压从地电位（VSS）上升时，当VDD低于最低工作电压（VMIN）时，输出电压不确定。当VDD超过VMIN时，输出电压将维持在电位（VSS）。当输入电压上升到释放电压（+VDET）后，输出电压等于输入电压。

　　释放电压（+VDET）和检测电压（-VDET）之间的电压差为滞后电压。

　　当输入电压（VDD）从地电位上升时，延时电路将产生一定的延迟时间tDLY。输入电压（VDD）超过释放电压（+VDET）后，要经过一定的时间tDLY，输出电压才等于输入电压，如图3（b）表示。

　　1、电池检测

　　2、自定义电平选择

　　3、电源失效检测

　　4、微处理器复位

　　5、电池记忆备份

　　6、信号存储保护