金属特性

　　金属导电的原因：金属键之键结力不强，电子受到外加电位即可自由运动，形成电子流。

　　金属不透明的原因：光波被高密度之电子吸收与反射。

　　氧化物特性

　　氧化物绝缘的原因：氧化物为金属与氧气反应形成共价键，键结中无自由电子，因此不导电。

　　氧化物透明的原因：原子键结的空隙中无自由电子，故光波可穿透氧化物结构。

　　透明导电氧化物

　　氧化物结构中含有氧原子之缺陷，使自由电子可在这些缺陷中运动，因此可以导电，但由於自由电子之密度不高，因此导电率不如金属。

　　由於自由电子之密度不高，因此可以透光，但透光率不如致密氧化物。

　　透光率与导电率之关系

　　ITO薄膜在可见光之范围内，镀膜之透光率与导电镀率约成反比之关系；例如，当镀膜面电阻率在10Ω/sq以下时，可见光透光率可达80%,但若透光率欲达到90%以上，则面电阻必须提高至100Ω/sq以上。

　　用直流反应磁控溅射法在无机玻璃上镀制 ITO 膜。溅射时基片不加热 , 溅射后进行空气退火和真空退火。采用由J S - 450 型改造而成的溅射设备 , 溅射室内水平安装直径为300mm的圆形平面磁控溅射靶阴极 （在上方） 和放置基片的可旋转试样台 （在下方） .靶阴极与 d1c高压电源的负极相联 , 试样台与正极相联并接地。In - Sn 合金靶由高纯 In（991999 %In） 和高纯 Sn （991999 %Sn） 制成 , 成分为 92 %In （wt ） + 8 %Sn （wt ） , 靶片直径 280mm.由于制备的试样尺寸较小 , 通过屏蔽的方法只允许直径 170mm 的靶面工作。