| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT 1200V 105A 595W SUPER247 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | IGBT Transistors 1200V UltraFast 5-40kHz RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 105A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA (Alt: SP001540752) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 105A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA - Rail/Tube (Alt: IRGPS60B120KDP) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | IRGPS60B120KDP, IGBT Transistor, 105 A 1200 V, 3-Pin TO-274AA RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 105A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | 搜索 |
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| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 105A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | 搜索 |
| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 105A 3-Pin(3+Tab) TO-274AA Tube | 搜索 |
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| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | , IGBT, , 1200V, 105A, SUPER-247 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRGPS60B120KDP [更多] | International Rectifier | IGBT Housing type: SUPER-247 Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 2.5 V Current release time: 45 ns Power dissipation: 595 W | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRGPS60B120KDP [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: IGBT, 1.2kV, 120A, 595W, SUPER247 | 搜索 |
