异质结双极晶体管类型很多,主要有以下几种：

　　1、SiGe异质结双极晶体管

　　2、GaAlAs/GaAs异质结晶体管

　　3、NPN型InGaAsP／InP异质结双极晶体管

　　4、NPN AlGaN/GaN异质结双极晶体管等。

　　1、基区可以高掺杂 (可高达1020/cm3)，则基区不易穿通，从而基区厚度可以很小 (则不限制器件尺寸的缩小)；

　　2、因为基区高掺杂，则基区电阻很小，最高振荡频率fmax得以提高；

　　3、基区电导调制不明显，则大电流密度时的增益下降不大；

　　4、基区电荷对C结电压不敏感，则Early电压得以提高；

　　5、发射区可以低掺杂 ( 如1017/cm3)，则发射结势垒电容降低，晶体管的特征频率fT提高；

　　6、可以做成基区组分缓变的器件，则基区中有内建电场，从而载流子渡越基区的时间τB得以减短。