型号：2SD1258

　　厂家：松下

　　结构：NPN

　　用途：High-hFE

　　VCBO（V）200（V）

　　VCEO（V）150（V）

　　hFE最小值：500

　　hFE最大值：2000

　　包装类型：N-A1、N-G1

　　图1是功率晶体管的符号，其上e、b、c分别代表发射极、基极和集电极。

　　图2是普通NPN型器件局部结构的剖面。图中1为发射区，2为基区，3为集电区，4为发射结，5为集电结。

　　图3示其工作原理（对于PNP型器件，则需要将两组电源极性反接）， 其中基极加0.6V左右的正向偏压，集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。图4是与图3相对应的器件的共发射极输出特性，它反映了器件的基极控制作用及不同的Ib下，Ic与Vce之间的关系。从图4中看出，特性曲线明显分成3个区。在线性区，Ic与Ib成比例并受其控制，器件具有放大作用（倍数β=Ic/Ib）；在截止区，器件几乎不导电；在饱和区，器件的饱和压降仅在1～2V上下(因饱和区妭CE太小，集电结电子收集效率很低，器件失去放大作用)。