瑞萨电子推出新型功率半导体 面积缩小一半
——新产品面向服务器和笔记本电脑等的电源功率MOSFET器件，实现了在单个封装内整合2个芯片
高级半导体解决方案领导厂商瑞萨电子株式会社（TSE：6723，以下简称瑞萨电子）日前宣布推出2款功率半导体器件——RJK0222DNS和RJK0223DNS。新产品采用超小型封装，主要面向服务器与笔记本电脑的CPU，以及存储器等产品的DC/DC转换器（注释1），并将于2010年8月起在日本发售样品。
新推出的2款新型功率半导体产品均采用了工艺先进的第11代小型、低损耗功率MOSFET，并将组成DC/DC转换器的一对功率MOSFET（注释2）整合于同一封装内。因此它们不仅可实现安装面积比瑞萨电子早期的功率MOSFET产品小一半的3.2mm × 4.8mm × 0.8mm（最大值）超小型封装尺寸，还可实现高达95.2%的业界最高效率，使功耗得到了大幅降低。
目前，2款新产品样品的单价均为50日元，并计划于2010年12月起批量生产。预计到2011年7月以后，2款产品月产量将达到合计200万个。
通常，由于笔记本电脑、服务器和图形卡等信息与通信产品中的CPU、GPU、存储器和ASIC等器件所需要的电源电压低于电池提供的电压，因此这些产品一般会内置多个用于降压的DC/DC转换器。而随着信息产品等的日趋小型化与薄型化，它们所搭载的DC/DC转换器也不断朝更小、更薄、更高效的方向发展。
为了满足上述需求，瑞萨电子在原有技术的基础上，进一步推进其功率MOSFET产品的小型化和高散热化发展，并推出了本次将一对功率MOSFET搭载于一个封装内的全新超小型产品。
新产品的主要特性如下：
（1）安装面积小于原有产品一半，从而实现了更小巧的高密度电源设计
在尺寸为3.2mm × 4.8mm的超小型HWSON3046（瑞萨电子封装编号）封装内使用了一对功率MOSFET来实现电压转换。安装面积与瑞萨电子早期尺寸为5.1mm × 6.1mm的WPAK（瑞萨电子封装编号）封装相比，小了约一半。这样就能够设计出更小巧、安装密度更高的DC/DC转换器。
（2）实现了业内最高的效率，大大降低了电源功耗
在300kHz的开关频率下，瑞萨电子第11代低损耗功率MOSFET实现了目前业内最高水平95.2%的高效率（输入电压：12V，输出电压：3.3V），这使电源的总效率得到进一步提高。
