2008年7月29日，存储巨头恒忆(Numonyx)宣布推出VelocityLPTMNV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率(LPDDR)非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NORFlash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆VelocityLPNV-RAM系列的推出为该公司未来相变存储器(PC
st="on" IsROCDate="False" IsLunarDate="False" Day="29" Month="7" Year="2008">2008年7月st1:chsdate>29日，存储巨头恒忆(Numonyx)宣布推出Velocity LPTMNV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率(LPDDR)非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆Velocity LP NV-RAM系列的推出为该公司未来相变存储器(PCM)产品提供了无缝的绝佳架构途径。
无线电话中的数字图像、影像、游戏及其他应用程序都对存储器提出了更高要求，为满足这些要求，大多数的手机制造商会采用结合如NOR、NAND等非挥发性存储器以及成本低廉的RAM技术。其中由于各种存储器类型需要不同的硬件和软件接口，经常迫使设计人员在存储系统性能与支持更多接口之间得做出妥协，因而提高系统成本。
恒忆Velocity LP NV-RAM将系统中不同的存储器的特性结合在一个广为接受LPDDR接口上，有助于简化系统架构、提升速度并降低成本。由于此非挥发性存储器也具有执行功能，因此设计人员可以RAM的速度读取数字内容，并降低系统的LP RAM需求以减少存储系统成本，此接口同时可协助系统设计人员使用相同架构来扩充存储系统，以支持从低端到高端的各种电话。
恒忆无线通讯产品事业部副总裁暨总经理Marco Dallabora表示，凭借恒忆在无线非挥发存储器市场的领先地位，恒忆Velocity LP NV-RAM采用业经验证的65纳米非挥发存储器技术，率先推出LPDDR-NVM接口。恒忆的目标是协助OEM推出符合成本效益的高性能手机，并开始针对无线市场推出基于PCM的器件。
