德州仪器发布45纳米工艺，量产需待2008年
日前,德州仪器 (TI) 发布了45纳米 (nm) 半导体制造工艺的细节,该工艺采用湿法光刻技术,可使每个硅片的芯片产出数量提高一倍,从而提高了工艺性能并降低了功耗。通过采用多种专有技术,TI 将集成数百万晶体管的片上系统处理器的功能提升到新的水平,45纳米工艺与 SoC 集成功能将使消费者体验高达 30% 的设备速度提升,这意味着每秒更多视频帧,从而实现更佳的移动电话用户体验。此外,无线用户将可以享受到同时运行多个应用的好处,如运行 3D 游戏的同时与游戏伙伴们进行视频交流,还可以在后台收发电子邮件。同时其它预测还显示,TI 45 纳米 SoC 将使功耗降低40%,从而获得更长的视频播放时间,并把手机待机时间延长高达30%。
TI的45纳米工艺主要在以下方面实现了突破：
一、性能与密度提高
二、设计灵活,实现性能优化
三、降低功耗,提高集成度
四,以较低的成本提高性能
TI 位于得克萨斯州达拉斯的 DMOS6 工厂将在其 300 毫米晶圆生产中导入 45 纳米工艺。低功耗 ASIC 设计库将于今年年底上市,首款 SoC 产品样片将于 2007 年推出,首批量产时间定于 2008 年年中。
