中芯多方出击，加快NAND型Flash布局
据悉,中芯国际于武汉东湖光谷12英寸厂未来单月10万片产能大军,将投入量产NAND型Flash,而近日中芯上海厂也已采90纳米工艺投产2Gb NAND型Flash,最快年底量产,未来中芯包括新建的成都厂及合资的封测厂,共三地、四厂投入Flash产品。
由湖北、武汉市ZF共同出资成立的东湖光谷12英寸厂,未来将由中芯团队负责营运,预计2008年投产,初期单月产能约1.25万片,据了解,当地ZF拟扩充规模打造此厂成为超级晶圆大厂,最终目标单月产能将达16万片规模,其中10万片将全数用来生产NAND型Flash,其余6万片则以逻辑IC为主。
中芯营运长Marco Mora表示,中芯近日已采90纳米工艺投产2Gb NAND型Flash,顺利的话第四季正式量产出货;因看好NAND型Flash市场,中芯预计上海厂未来极可能单月1万片都是用以生产Flash,而后段封测则由位于成都、与联测（UTAC）共同合资的封测厂负责。
中芯执行长张汝京曾表示,NAND型Flash与以色列SaiFun技术转移,而来自于SaiFun的技术程度与逻辑IC具有相似性;不过,近期外界盛传,中芯除了与SaiFun技转之外,也将积极争取与日系半导体大厂东芝技术合作,不过面对此传言,中芯表示,对外界臆测不予置评。
可确定的是,中芯已加快NAND型Flash布局,除了正兴建中的上海厂,与武汉合作的东湖光谷12英寸厂、成都8英寸厂,以及合资的成都封测厂,未来4个据点都将投入与NAND型Flash相关的生产、封测业务;目前TW投入NAND型Flash生产进度最快的当属力晶,力晶目前已投产4Gb,最快第三季量产出货。
