磁芯存储器有迹象东山再起
---- 写入脉冲经由封闭的导体绕过磁柱体,根据导通电流的方向在存储体上写入1或0。位于磁柱体上方或下方的敏感元件可以无损地读出单元内存储的数据。
---- 犹他大学（位于美国犹他州盐湖城）的开发工作尚处于早期阶段;制成了一个可供测试的8-位器件。每位都可以分别读或写,已经显示具有不挥发性。目前尚不清楚在8位可能排列的阵列中周围状态产生的影响情况如何。但是目前显示的准确无误的操作,已经足够鼓舞参与人员继续进行下一步的工作。
---- 该公司宣称此项技术具有成本低的优点,如果要取代DRAM和SRAM,低成本是不可缺少的条件。但是该公司又说,进入市场的第一个产品将是小容量的不挥发存储器,可以取代蜂窝电话中使用的串接闪存和EEPROM。从这里可以看出实际的制造工艺尚未确定。
---- 虽然有许多种铁磁材料可以在开发中进行试验。但是磁化的物理机制可以使设计规则订得较小的材料,很明显具有优势。因此材料的均匀一致性如何是选择材料的一项重要指标。虽然写入的方式尚不清楚,估计将和磁芯所用的方式类似。即在行和列的写入线中通过的脉冲同向,且超过阈值则使单元翻转;如果仅在一侧有脉冲流过则对状态不产生影响。
---- 所希望开发的单元在写入方式上和其它机制不同之处,在于除了在x和y方向有写入线以外,在对角线上还有写入线。这在进行处理和访问时都增加了麻烦。
---- 开发中遇到的另一个问题是关于敏感器的特性。该公司在网页上宣告犹他大学的犹他实验室已经开发成功一种新型的敏感器。推测可能是采用霍尔效应或静磁原理。这一部分是和磁芯存储器（它检测单元的状态是将它翻转）不同的。
---- Magram能否实现其预期的使命将取决于制造的可能性。如果在密度方面能作得和DRAM不相上下,就应该能达到相同的性能。如欲进一步了解关于Micromem的信息,请访问
