世界电源系统大会展示最新产品  2012/3/1

  于2003年11月4日至6日在美国加利福尼亚州Long Beach举行的世界电源系统大会上,电源电子技术展览暨研讨会以及电源质量展览暨研讨会同时召开。此次活动就电源电子工业领域的重要话题以及相关技术和应用方面的发展动态举办了研讨会和专题讲座。
  来自业界方方面面的公司厂商还展示了它们的最新产品和服务。展出的产品从分立半导体元件、无源器件到IC、转换器模块以及完整的备用电源系统等一应俱全。
  来自Celestica公司（位于加拿大安大略省多伦多）的Volant系列非隔离型POL转换器采用SIP和DIP封装。这些工作效率达96%的转换器可在高达15A的电流条件下提供0.9～3.3Vdc的电压。
  Voltage Multipliers公司（位于美国加利福尼亚州Visalia）推出的1800V D-Pak模制二极管采用了一个用于实现在电流和温度分别高达2A和 55℃的条件下正常操作的集成散热器,可在未采用任何附加封装的情况下工作于空气当中。该二极管具有50ns的恢复时间。
  Allegro Microsystems公司（位于美国马萨诸塞州伍斯特）推出的面向具有较高功率密度的电池的A8440DC/DC转换器IC采用了一种能够实现升压、降压/升压和降压模式之间的自动和平滑转换的控制电路。该器件既可工作于PWM固定频率模式（当负载较重时）,也可工作于脉冲频率模式（在轻负载条件下）。
  VishaySiliconix公司（位于美国加利福尼亚州Santa Clara）展出的采用Little FootSO-8封装、基于TrenchFET Gen II技术的Si4320DY型n沟道功率MOSFET专为同步降压型DC/DC转换器中的低压侧操作以及次级同步整流而设计。在4.5V和10V电压条件下,其接通电阻分别为4mΩ和3mΩ,Qgd/Qgs之比为0.8,并提供了不熄弧保护以及针对噪声和电压尖峰的保护余量。
  ToshibaAmerica Electronic Components公司（位于美国加利福尼亚州伊尔文）推出的厚度比标准的SO-8封装薄37%左右的40A Advance系列功率MOSFET也具有高出200%的电流输出和50%的功率耗散改善幅度。这种n沟道单路器件具有30

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