VirginiaTech公司（位于美国弗吉尼亚州Blacksburg）的研究人员开发成功一种能够在传输和分配栅极中提供可靠电压支持的高功率半导体开关。一种被称为发射极关断晶闸管（ETO）的栅极关断晶闸管（GTO）与IGBT的三端子混合器件不仅使功率变换器的尺寸、重量和成本均有所下降,而且还有望将传输栅极的质量和容量提高25%～60%。这种开关能够承受16MW的瞬间功率,并能促使线路速度从60Hz到1～3kHz不等的极高功率变换器以相同的功率电平进行
Virginia Tech公司（位于美国弗吉尼亚州Blacksburg）的研究人员开发成功一种能够在传输和分配栅极中提供可靠电压支持的高
功率半导体
开关。一种被称为发射极关断晶闸管（ETO）的栅极关断晶闸管（GTO）与IGBT的三端子混合器件不仅使功率变换器的尺寸、重量和成本均有所下降,而且还有望将传输栅极的质量和容量提高25%～60%。
这种开关能够承受
16MW的瞬间功率,并能促使线路速度从60Hz到1～3kHz不等的极高功率变换器以相同的功率电平进行开关操作。迄今为止,材料方面的局限性以及器件昂贵的价格一直限制着功率电子器件在通用栅极中的广泛使用。
ETO采用几乎无
电阻的光脉冲接通
电流。当开关闭合时,它能够传导
10000A的电流。在连续工作条件下,当温度保持在低于
125℃时,传导电流在1500A的范围内。当光脉冲被除去且ETO开关断开时,它能够阻塞高达6000V的电压。开关从接通到关断以及从关断到接通的时间为5μs。
