凌特公司（LinearTechnology）推出LTC4411低损耗PowerPathTM控制器,能够控制一个集成P沟道MOSFET,为电源切换或负载共享提供近于理想的二极管功能。在导通时,MOSFET的电压降至28mV,比同类别的肖特基二极管低十倍。为了延长的电池寿命、低输入电压运行或产生热量最小化而采取多重电源“或”方式时,可使功率耗散和压降最小化。此外,LTC4411具有多种保护功能,如电流限制、温度保护、以及输入电源的反向电流监测保护,这提高了系统的可靠
凌特公司（Linear Technology）推出 LTC4411 低损耗 Power PathTM 控制器,能够控制一个集成 P 沟道
MOSFET,为
电源切换或负载共享提供近于理想的
二极管功能。在导通时,MOSFET 的电压降至 28mV,比同类别的肖特基二极管低十倍。为了延长的
电池寿命、低输入电压运行或产生热量最小化而采取多重电源“或”方式时,可使
功率耗散和压降最小化。此外,LTC4411 具有
多种保护功能,如
电流限制、温度保护、以及输入电源的反向电流监测保护,这提高了系统的可靠性。LTC4411 的逻辑电平输入管脚简化了微控制器接口,而开路漏极状态管脚指示 LTC4411 的导通状态。该管脚可用于驱动一个外置 P 沟道 MOSFET 栅极,以在两个输入电源之间进行转换。LTC4411 的工作电压在 2.6V 到 5.5V 之间,采用
SOT-
23封装。应用范围包括以电池驱动和 AC/DC 输 入的器件、负载共享和低电压备份电源系统。
LTC4411 包含一个 1
40mOhm P 沟道 MOSFET。在正常正向运行期间,通过 MOSFET 的压降能够被调节低至 28mV。在负载电流高达 100mA 时的静态电流低于 40uA。如果输出电压超过输入电压,MOSFET 就会被切断,从 OUT 到 IN 的反向电流低于 1uA。最大正向电流限制在一个恒定的 2.6A（典型值）,而内部温度限制电路可在出现差错时保护部件。在关断时,LTC4411 耗电小于 25uA。
LTC4411 工作温度在 -40(C 至 85(C 之间。以 1,000 件为批量,每件起价为 1.60 美元。
LTC4411 性能概要：
