ST发布20A/30A功率MOSFETSTK800/8504月29日讯,ST发布首款以顶部金属PolarPAK?封装的功率器件：STK800、STK850,增强了热量性能、提升了大电流电源使用组件的功率密度。新的STK800、STK850分别为20A/30A功率MOSFET,以标准SO-8封装,仅需要5mmx6mm板空间,因顶部与底部的热耗散通道其高度仅为0.8mm。2005年3月,ST与Siliconix就使用PolarPAK?技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率MOSFET封装,确保了良好的裸片保护与
ST发布20A /30A
功率MOSFET STK800 / 850 4月29日讯,ST发布首款以顶部金属PolarPAK?封装的功率器件：STK800、STK 850,增强了热量性能、提升了大
电流电源使用组件的功率密度。新的STK800、STK 850分别为20A/30A功率MOSFET,以标准
SO-8封装,仅需要5mm x 6mm板空间,因顶部与底部的热耗散通道其高度仅为0.8mm。
2005年3月,ST与Silic
onix就使用PolarPAK?技术达成协议。新封装的导线架与塑料密封类似于多数标准功率MOSFET封装,确保了良好的裸片保护与制造的易处理。与标准SO-8相比, PolarPAK 的热耗散非常有效,它能在相同的占位面积内处理两倍电流。
新器件以ST所有的最新STripFET?技术制造,该技术基于提升的单元密度与更小的单元特性,占用了更小的芯片空间,同时实现极低的片上阻抗与损耗。10V时,20A STK800典型的RDS(on) 值为6.0mOhm,30A STK850的RDS(on) 值为2.9mOhm。该封装通过提供超低的结到
外壳热量阻抗与更低的结温确保两个MOSFET的低片上阻抗特性。
低
电容与总门电荷数,使STK800成为非绝缘DC/DC压降转换器中控制FET的理想选择,而极低的RDS(on) 值使STK850成为卓越的同步FET解决方案。它们的低工作温度确保了更高效率,并增加了寿命可靠性。新的封装改善了裸片保护、确保了制造的易处理,并保持与现有
SMD装配设备兼容。器件的多源兼容为客户提供了充足的灵活性。
