英文名：William Bradford Shockley（William Shockley）

　　中文名：威廉·肖克利

　　出生年月：1910年2月13日

　　国籍：美国

　　出生地：英国伦敦

　　教育背景：1936年，麻省理工（MIT）获固体物理学博士学位

　　               1932年，在加州理工学院获学士学位

　　职业背景：1963年开始，担任斯坦福大学教授

　　               1955－1963年，在硅谷创办肖克利半导体实验室

　　               1936－1955年，贝尔实验室晶体管物理部主任

　　主要成就：发明晶体管，获得了90多项发明专利

　　肖克利在英国伦敦出生，父母是美国人。他在加利福尼亚州长大并于1932年本科毕业于加州理工学院。1936年他获得了麻省理工学院博士学位，其博士论文题目为计算氯化钠晶体内的电子密度函数。1936-1955年期间他在贝尔实验室工作，曾任晶体管物理部主任。1938年获第一个专利“电子倍增放电器”。1947年与他人合作发明了晶体管。1951年他成为美国国家科学院院士。

　　1955年，他在加州芒廷维尤创立了“肖克利实验室股份有限公司”，聘用了很多年轻优秀的人才。但很快肖克利个人的管理方法因其公司内部不合，八名主要员工（八叛逆）于1957年集体跳槽成立了仙童半导体公司，后来开发了第一块集成电路。而肖克利实验室则每况愈下，两次被转卖后于1968年永久关闭。

　　肖克利于1963年开始任斯坦福大学教授。他在晚年认为各种族的遗传水准有高有低，并支持鼓动智力低下者自愿绝育，因而在科学界和媒体界引起了争议。他于1989年因前列腺癌去世。