半导体二极管,半导体二极管的分类,主要参数,伏安特性
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半导体二极管,半导体二极管的分类,主要参数,伏安特性  2011/10/3

目录

  • 半导体二极管的分类
  • 半导体二极管的主要参数
  • 半导体二极管的伏安特性
半导体二极管

半导体二极管的分类

  •   1.根据材料可分为:硅二极管、锗二极管

      2.根据结构可分为:点接触型、面接触型、平面型

      ●点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路。

      ●面接触型二极管,结面积大,电流大,结电容大,适用于低频整流电路。

      ●平面型二极管,结面积较大时可以通过较大电流,适用于大功率整流,结面积较小时,可作为数字电路中的开关管。

      3.根据用途可分为:普通二极管,整流二极管,开关二极管,稳压二极管等

半导体二极管的主要参数

  •   1. 最大整流电流 IOM

      二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流。

      2. 反向击穿电压UBR

      二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压UWRM一般是UBR的一半。

      3. 反向电流 IR

      指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大,说明管子的单向导电性差,因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响,温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。

      4.  微变电阻 rD

      rD 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比:

      5. 二极管的极间电容

      二极管的两极之间有电容,此电容由两部分组成:势垒电容CB和扩散电容CD

      (1)势垒电容:势垒区是积累空间电荷的区域,当电压变化时,就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化,这样所表现出的电容是势垒电容。

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