NPN型三极管由两块Ｎ型和一块Ｐ型半导体构成，如图所示，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧，各半导体所引出的电极见图中所示。在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面形成两个PN结，形成三个区，中间部分成为基区，相连电极成为基极，用b表示，两侧分别是发射区和集电区，相连电极分别为发射极和集电极。在基极与集电极之间的PN结称为集电结，在基极与发射极之间的PN结称为发射结。

　　1.  电流放大倍数/β和β

　　前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。

　　共射直流电流放大倍数：

　　工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为DIB，相应的集电极电流变化为DIC，则交流电流放大倍数为：

　　2.集-基极反向截止电流I_CBO

　　I_CBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。

　　3. 集-射极反向截止电流I_CEO

　　I_CEO= βI_BE+I_CBO

　　I_CEO受温度影响很大，当温度上升时，I_CEO增加很快，所以I_C也相应增加。三极管的温度特性较差。

　　4.集电极最大电流I_CM

　　集电极电流I_C上升会导致三极管的β值的下降，当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为I_CEO。

　　5.集-射极反向击穿电压

　　当集---射极之间的电压U_CE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25℃、基极开路时的击穿电压U_(BR)CEO。

　　6. 集电极最大允许功耗P_CM